Vassilevski, Konstantin V.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (63)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Applications-Based Design of SiC Technology

Wright, Nicolas G., Johnson, C.M., Horsfall, A.B., Buttay, Cyril, Vassilevski, Konstantin V., Loh, W.S., Skuriat, R., Agyakwa, P.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 310 KB

english, 2009

2

High Temperature Operation of Silicon Carbide Schottky Diodes with Recoverable Avalanche Breakdown

Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Bhatnagar, Praneet, Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Uren, Michael J., Hilton, Keith P., Munday, A.G., Hydes, A.J., Johnson, C.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2006

3

Benefits of High-k Dielectrics in 4H-SiC Trench MOSFETs

Wright, Nicolas G., Poolamai, N., Vassilevski, Konstantin V., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 250 KB

english, 2004

4

Silicon Carbide Vertical JFET with Self-Aligned Nickel Silicide Contacts

Vassilevski, Konstantin, Nikitina, Irina P., Horsfall, Alton B., Wright, Nicolas G., Smith, Andrew J., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 760 KB

english, 2011

5

On optimal convergence rate of finite element solutions of boundary value problems on adaptive anisotropic meshes

Abdellatif Agouzal, Konstantin Lipnikov, Yuri V. Vassilevski

Журнал:

Mathematics and Computers in Simulation

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 797 KB

english, 2011

6

Parallel adaptive solution of 3D boundary value problems by Hessian recovery

Konstantin Lipnikov, Yuri Vassilevski

Журнал:

Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 264 KB

english, 2003

7

Prospects for SiC electronics and sensors

Nick G. Wright, Alton B. Horsfall, Konstantin Vassilevski

Журнал:

Materials Today

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 625 KB

english, 2008

8

On control of adaptation in parallel mesh generation

Konstantin Lipnikov, Yuri Vassilevski

Журнал:

Engineering with Computers

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 2004

9

On discrete boundaries and solution accuracy in anisotropic adaptive meshing

Konstantin Lipnikov, Yuri Vassilevski

Журнал:

Engineering with Computers

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.20 MB

english, 2010

10

Buckwheat trypsin inhibitor with helical hairpin structure belongs to a new family of plant defence peptides

Oparin, Peter B., Mineev, Konstantin S., Dunaevsky, Yakov E., Arseniev, Alexander S., Belozersky, Mikhail A., Grishin, Eugene V., Egorov, Tsezi A., Vassilevski, Alexander A.

Журнал:

Biochemical Journal

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 682 KB

english, 2012

11

Local solid phase growth of few-layer graphene on silicon carbide from nickel silicide supersaturated with carbon

Escobedo-Cousin, Enrique, Vassilevski, Konstantin, Hopf, Toby, Wright, Nick, O'Neill, Anthony, Horsfall, Alton, Goss, Jonathan, Cumpson, Peter

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.84 MB

english, 2013

12

Characterisation of the High Temperature Performance of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

Blasciuc-Dimitriu, C., Horsfall, A.B., Vassilevski, Konstantin V., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 210 KB

english, 2003

13

High Temperature Characterisation of 4H-SiC VJFET

Bhatnagar, Praneet, Wright, Nicolas G., Horsfall, A.B., Vassilevski, Konstantin V., Johnson, C. Mark, Uren, Michael J., Hilton, Keith P., Munday, A.G., Hydes, A.J.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 312 KB

english, 2007

14

Comparison of Parameter Extraction Techniques for SiC Schottky Diodes

Weng, Ming Hung, Horsfall, Alton B., Wright, Nick G., Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P.

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 132 KB

english, 2006

15

High Voltage Silicon Carbide Schottky Diodes with Single Zone Junction Termination Extension

Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Hilton, Keith P., Munday, A.G., Hydes, A.J., Uren, Michael J., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 402 KB

english, 2007

16

Silicon Carbide Zener Diodes

Vassilevski, Konstantin V., Zekentes, K., Bogdanova, E.V., Lagadas, M., Zorenko, A.V.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2001

Файл:

PDF, 339 KB

2001

17

Analytical Modelling of I-V Characteristics for 4H-SiC Enhancement Mode VJFET

Bhatnagar, Praneet, Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., Johnson, C. Mark, Vassilevski, Konstantin V., O'Neill, Anthony G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 295 KB

english, 2006

18

Temperature Stability of Heteropolytypic 6H/3C FETs

Chen, Chia Ching, Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., Vassilevski, Konstantin V.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 328 KB

english, 2007

19

Effective Edge Termination Design in SiC VJFET

Bhatnagar, Praneet, Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Vassilevski, Konstantin V., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 235 KB

english, 2005

20

Silicon Carbide Vertical JFET Operating at High Temperature

Vassilevski, Konstantin V., Hilton, Keith P., Wright, Nicolas G., Uren, Michael J., Munday, A.G., Nikitina, Irina P., Hydes, A.J., Horsfall, A.B., Johnson, C.M.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.66 MB

english, 2009

21

Solid Phase Growth of Graphene on Silicon Carbide by Nickel Silicidation: Graphene Formation Mechanisms

Escobedo-Cousin, Enrique, Vassilevski, Konstantin, Hopf, Toby, Wright, Nicholas, O'Neill, Anthony G., Horsfall, Alton, Goss, Jonathan P.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 435 KB

english, 2014

22

SILICON CARBIDE DIODES FOR MICROWAVE APPLICATIONS

Vassilevski, Konstantin

Журнал:

International Journal of High Speed Electronics and Systems

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.73 MB

english, 2005

23

Impact Ionization in Ion Implanted 4H-SiC Photodiodes

Loh, Wei Sun, Goh, Eric Z. J., Vassilevski, Konstantin, Nikitina, Irina, David, John P. R., Wright, Nick G, Johnson, C Mark

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 143 KB

english, 2008

24

Structural and Morphological Characterization of Al/Ti-Based Ohmic Contacts on p-Type 4H-SiC Annealed Under Various Conditions

Vassilevski, Konstantin V., Zekentes, K., Constantinidis, G., Papanicolaou, N., Nikitina, Irina P., Babanin, A.I.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 387 KB

english, 2000

25

Reactive Ion Etching of Silicon Carbide with Patterned Boron Implantation

Vassilevski, Konstantin V., Hedley, J., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 536 KB

english, 2004

26

Potential Benefits of Silicon Carbide Zener Diodes Used as Components of Intrinsically Safe Barriers

Lark, P., Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Phelps, G.J., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 378 KB

english, 2007

27

4H-SiC Schottky Diodes with High On/Off Current Ratio

Vassilevski, Konstantin V., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 384 KB

2002

28

Low Voltage Silicon Carbide Zener Diode

Vassilevski, Konstantin V., Zekentes, K., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 262 KB

english, 2004

29

Silicon Carbide Based Energy Harvesting Module for Hostile Environments

Barker, Simon, Miao, Bing, Brennan, D.R., Vassilevski, Konstantin, Wright, Nicolas G., Horsfall, Alton B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.00 MB

english, 2010

30

Edge Termination of SiC Schottky Diodes with Guard Rings Formed by High Energy Boron Implantation

Vassilevski, Konstantin V., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Файл:

PDF, 370 KB

2004

31

Discriminating High k Dielectric Gas Sensors

Roy, Sandip K., Vassilevski, Konstantin V., O'Malley, Christopher J., Wright, Nick G., Horsfall, Alton B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 396 KB

english, 2014

32

Amplitude Shift Keyed Radio Communications for Hostile Environments

Brennan, D.R., Miao, Bing, Vassilevski, Konstantin, Wright, Nicolas G., Horsfall, Alton B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 305 KB

english, 2010

33

Optimisation of Implanted Guard-Ring Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes

Horsfall, A.B., Vassilevski, Konstantin V., Johnson, C. Mark, Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Gwilliam, Russell

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 357 KB

2002

34

4.6 kV, 10.5 mOhm×cm2 Nickel Silicide Schottky Diodes on Commercial 4H-SiC Epitaxial Wafers

Vassilevski, Konstantin, Nikitina, Irina P., Horsfall, Alton B., Wright, Nicolas G., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 681 KB

english, 2010

35

Optimising the Growth of Few-Layer Graphene on Silicon Carbide by Nickel Silicidation

Escobedo-Cousin, Enrique, Vassilevski, Konstantin, Hopf, Toby, Wright, Nick, O’Neill, Anthony, Horsfall, Alton, Goss, Jonathan, Cumpson, Peter

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 534 KB

english, 2013

36

Phase Inhomogeneity and Electrical Characteristics of Nickel Silicide Schottky Contacts Formed on 4H-SiC

Nikitina, Irina P., Vassilevski, Konstantin V., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Ray, S.K., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 597 KB

english, 2009

37

Enhanced Dopant Diffusion Effects in 4H Silicon Carbide

Phelps, G.J., Wright, Nicolas G., Chester, E.G., Johnson, C. Mark, O'Neill, Anthony G., Ortolland, S., Horsfall, A.B., Vassilevski, Konstantin V., Gwilliam, Russell

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 344 KB

2002

38

Aluminium Implantation Induced Linear Surface Faults in 4H-SiC

Wright, Nicolas G., Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Horsfall, A.B., Johnson, C. Mark, Bhatnagar, Praneet, Tappin, Peter

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2005

39

First Principles Derivation of Carrier Transport across Metal - SiC Barriers

Dimitriu, C.B., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., Johnson, C. Mark, Vassilevski, Konstantin V., O'Neill, Anthony G.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Файл:

PDF, 314 KB

2004

40

Simulation and Prototype Fabrication of Microwave Modulators with 4H-SiC p-i-n Diodes

Bludov, A.V., Boltovets, Mykola S., Vassilevski, Konstantin V., Zorenko, A.V., Zekentes, K., Lebedev, A.A., Krivutsa, Valentyn A.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 402 KB

english, 2004

41

Optimisation of 4H-SiC MOSFET Structures for Logic Applications

Horsfall, A.B., Prentice, C.H.A., Tappin, Peter, Bhatnagar, Praneet, Wright, Nicolas G., Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 243 KB

english, 2006

42

Free Standing AlN Single Crystal Grown on Pre-Patterned and In Situ Patterned 4H-SiC Substrates

Yazdi, Gholam Reza, Vassilevski, Konstantin, Córdoba, José M., Gogova, Daniela, Nikitina, Irina P., Syväjärvi, Mikael, Odén, Magnus, Wright, Nicolas G., Yakimova, Rositza

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.73 MB

english, 2010

43

Optimizing the Vacuum Growth of Epitaxial Graphene on 6H-SiC

Hopf, Toby, Vassilevski, Konstantin, Escobedo-Cousin, Enrique, Wright, Nick, O'Neill, Anthony G., Horsfall, Alton, Goss, Jonathan P., Barlow, Anders, Wells, George, Hunt, Michael

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 408 KB

english, 2014

44

HVPE GaN and AIGaN 'Substrates' for Homoepitaxy

Melnik, Yu.V., Nikolaev, A.E., Stepanov, S., Kikitina, I., Vassilevski, Konstantin V., Ankudinov, A., Musikhin, Yu., Dmitriev, Vladimir

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

1998

Файл:

PDF, 385 KB

1998

45

Structural Properties of Titanium-Nickel Films on Silicon Carbide Following High Temperature Annealing

Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., Johnson, C. Mark, Malhan, Rajesh Kumar, Yamamoto, Tetsuya

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2006

46

Silicon Carbide Static Induction Transistor with Implanted Buried Gate

Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Horsfall, A.B., Wright, Nicolas G., O'Neill, Anthony G., Gwilliam, Russell, Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 460 KB

english, 2009

47

Growth of Few Layers Graphene on Silicon Carbide from Nickel Silicide Supersaturated with Carbon

Vassilevski, Konstantin, Nikitina, Irina P., Horsfall, Alton B., Wright, Nicolas G., Johnson, C. Mark

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 644 KB

english, 2010

48

4H-SiC IMPATT Diode Fabrication and Testing

Vassilevski, Konstantin V., Zorenko, A.V., Zekentes, K., Tsagaraki, Katerina, Bano, Edwige, Banc, C., Lebedev, A.A.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2002

Файл:

PDF, 606 KB

2002

49

Silicon Carbide UV Based Photovoltaic for Hostile Environments

Barker, S., Stevens, Raymond C., Vassilevski, Konstantin V., Nikitina, Irina P., Wright, Nicolas G., Horsfall, A.B.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 399 KB

english, 2009

50

4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts

Zekentes, Konstantinos, Stavrinidis, Antonis, Konstantinidis, George, Kayambaki, Maria, Vamvoukakis, Konstantinos, Vassakis, Emmanouil, Vassilevski, Konstantin, Horsfall, Alton B., Wright, Nick G., Br

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 2015